基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法

以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂，容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜，开口较大，有利于膜层沉积和铜电镀填充，可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10～40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充，成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充，验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺，在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。