0.2～2.0GHz100W超宽带GaN功率放大器

设计并实现了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的100 W超宽带功率放大器。基于SiC无源工艺设计了集成无源器件(IPD)输入预匹配电路芯片；设计了基于陶瓷基片的T型集成输出预匹配电路；基于建立的传输线变压器(TLT)的精确模型，设计了宽带阻抗变换器，在超宽频带内将50Ω的端口阻抗变换至约12.5Ω,再通过多节微带电路与预匹配后的GaN HEMT芯片实现阻抗匹配。最终，以较小的电路尺寸实现了功率放大器的超宽带性能指标。测试结果表明，功率放大器在0.2～2.0 GHz频带内，在漏极电压36 V、输入功率9 W、连续波的工作条件下，输出功率大于103 W,漏极效率大于50%,输入电压驻波比(VSWR)≤2.5。