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IGBT器件级物理模型的FPGA设计与实现及在环验证
作者姓名:张驾祥  谭会生
作者单位:湖南工业大学轨道交通学院
基金项目:湖南省教育厅科学研究重点项目(20A163);;湖南省学位与研究生教学改革研究项目(2022JGYB183);
摘    要:基于硬件在环(HIL)仿真,研究了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件级Hefner物理模型及其求解算法与优化方法,在现场可编程门阵列(FPGA)上设计并实现了Hefner优化模型,并基于PYNQ框架对其进行了在环验证。首先,分析并仿真了Hefner物理模型与其求解算法,提出并训练了一个前馈神经网络用以拟合模型中的一组非线性函数;接着,在FPGA上设计并验证了Hefner优化模型IP核,并使用基于PYNQ框架的FPGA在环验证方法对其进行了板级验证;最后,用IKW50N60H3和FGA25N120两种型号的IGBT器件对IP核进行了实例验证。结果表明,Hefner优化模型能准确地反映IGBT的开关瞬态特性;在Zynq 7020芯片的处理器系统(PS)端运行PYNQ框架,可编程逻辑(PL)端时钟频率为100 MHz时,实现60 000个时间步长的时间为212 s,是软件运行同样次数所用时间(341 s)的62%,FPGA加速明显。

关 键 词:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)  Hefner物理模型  神经网络拟合  现场可编程门阵列(FPGA)  在环验证
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