| 氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展EI北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 刘斯奇,梅云辉.氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展EI北大核心CSCD[J].中国电机工程学报,2023(13):5116-5131. |
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| 作者姓名： | 刘斯奇 梅云辉 |
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| 作者单位： | 1.天津大学材料科学与工程学院300350;2.天津工业大学电气工程学院300387; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(52177189,51922075)；天津市科技计划项目(21JCJQJC00150)。 |
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| 摘 要： | 氮化镓(Ga N)作为典型的宽禁带半导体材料,具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势,封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工作可靠性十分关键。文中首先对比分析Si基、Si C基和Ga N基器件/模块封装的异同,随后从封装杂散电感、封装散热设计和封装连接可靠性3个方面,分别介绍其带来的问题以及解决方案,讨论目前研究可能存在的不足。基于综述分析,最后提出未来Ga N功率器件/模块封装技术亟待解决的问题以及研究展望。
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| 关 键 词： | GaN高电子迁移率晶体管 功率器件 功率模块 封装技术 杂散电感 散热 可靠性 |
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