基片温度对TiB2薄膜生长形貌及力学性能的影响 |
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引用本文: | 虞晓江,田家万,邵楠,李戈扬. 基片温度对TiB2薄膜生长形貌及力学性能的影响[J]. 电子显微学报, 2002, 21(5): 637-638 |
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作者姓名: | 虞晓江 田家万 邵楠 李戈扬 |
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作者单位: | 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海,200030 |
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摘 要: | TiB2是一种超硬材料,块体TiB2的硬度高达HV30Gpa,而且耐腐蚀、抗氧化,还具有优良的导电性能,是一种受到广泛重视的导电耐磨涂层材料[1].
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关 键 词: | 基片温度 TiB2薄膜 生长形貌 力学性能 硼化钛薄膜 测量分析 |
Influence of substrate temperature on the growth and mechanical properties of TiB2 thin films |
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Abstract: | |
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