| 等离子体刻蚀过程中的FTIR监控技术 |
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| 引用本文： | 王巍,吴志刚,兰中文,姬洪. 等离子体刻蚀过程中的FTIR监控技术[J]. 红外与激光工程, 2007, 36(Z1) |
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| 作者姓名： | 王巍 吴志刚 兰中文 姬洪 |
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| 基金项目： | 重庆邮电大学博士启动基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用傅里叶红外光谱仪(FHR)和MCT红外探测器可以构成原位的FTIR测量系统,可应用于在电感耦合等离子体刻蚀机中进行的硅刻蚀工艺.文中对反应腔室腔壁状态对刻蚀过程的影响,以及在硅晶片表面反应层的变化进行了详细的研究.实验表明:采用含F化合物对反应腔室进行清洗会改变反应腔室的状态,在腔室内壁状态达到稳定之前会对刻蚀速率的一致性造成扰动.硅片表面反应层中的化学组成变成了以CF为主的薄膜层,对刻蚀过程的有一定的抑制作用.
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| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 FTIR MCT探测器 检测 |
FTIR diagnostics for plasma etching processes |
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| WANG Wei,WU Zhi-gang,LAN Zhong-wen,JI Hong. FTIR diagnostics for plasma etching processes[J]. Infrared and Laser Engineering, 2007, 36(Z1) |
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| Authors: | WANG Wei WU Zhi-gang LAN Zhong-wen JI Hong |
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