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| MgO对K_2O-Al_2O_3-SiO_2系陶瓷微波介电性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.西华大学材料科学与工程学院 |
| 摘 要： | 采用传统固相反应法制备添加不同质量分数(0~4%)MgO的K_2O-Al_2O_3-SiO_2体系低介电微波陶瓷,利用SEM、XRD、Agilent4284等测试手段,讨论加入MgO对K_2O-Al_2O_3-SiO_2系的相结构、显微组织、烧结温度及介电性能的影响。结果表明:添加MgO能有效降低K_2O-Al_2O_3-SiO_2体系的烧结温度,且室温下介电常数低,介电损耗小;1 MHZ下,添加质量分数2%MgO的样品在1 150℃烧结后介电常数最小,为4.271,在1 250℃烧结后介电损耗最小,为0.004 9。 |
| 关 键 词： | K2O-Al2O3-SiO2 固相反应法 低介电常数 |
Effect of MgO on Microwave Dielectric Properties of K2 O-Al2 O3-SiO2 Ceramics |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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