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| 新开发的千兆位级DRAM用高介电常数膜成膜装置 | |
| 引用本文： | 康顺.新开发的千兆位级DRAM用高介电常数膜成膜装置[J].微电子技术,2001,29(3):5. |
| 作者姓名： | 康顺 |
| 摘 要： | 为制成千兆位级ＤＲＡＭ ,人们期望可实现单元电容器微细化的高介电常数膜材料。为此 ,开发了ＳｉＯ2 ,膜 /氮化膜、Ｔａ2 Ｏ5膜等。而且 ,也期待开发高介电常数电容器材料———钛酸钡锶氧化膜 (ＢＳＴ :(ＢａＳｒ)ＴｉＯ3)成膜技术。此时 ,ＮＥＣ便开发了低温成膜和台阶覆盖性良好的ＥＣＲ—ＣＶＤ法形成的ＢＳＴ成膜装置。开发的装置特点如下 :( 1)Ｂａ、Ｓｒ、Ｔｉ各种材料为挥发性金属化合物 ,Ｂａ、Ｓｒ采用ｄｅｃａｔｎａｔｅ系络合物材料 ;Ｔｉ采用醇盐系材料。靠着精密原料输送系统的温控可控制原料化合物的蒸气压 ,进而控制原料输… |
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