低副瓣阵列天线的误差效应分析

本文分析了独立随机误差电流正交分量的一般正态分布模型对低副瓣阵列天线副瓣电平的影响问题。证明了:(1)误差场的正交分量亦为高斯随机变量;(2)若阵列天线具有对称的照射函数且为低副瓣,则误差场的正交分量为独立的高斯随机变量,而与误差电流的正交分量相关与否无关。研究了三个不同副瓣区域内的辐射场和误差场的概率密度函数。计算了近主瓣区内至少有一个副瓣电平超过给定值r_o的累积概率。结果表明,若误差电流正交分量的方差σ_x~2和σ_y~2满足条件σ_y~2>σ_x~2,则天线公差要求最低,反之,若σ_x~2>σ_y~2,则公差要求最高。最后,对计算结果作了必要的物理解释。