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| 用MOS恒定电荷法测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度 | |
| 引用本文： | 谭长华,许铭真.用MOS恒定电荷法测定半导体少子的体产生寿命及表面产生速度[J].半导体学报,1984,5(4):443-448. |
| 作者姓名： | 谭长华 许铭真 |
| 作者单位： | 北京大学计算机科学技术系 (谭长华)，北京大学计算机科学技术系(许铭真) |
| 摘 要： | 在MOS由深耗尽态恢复到平衡反型态的过程中,如果MOS系统的总电荷保持恒定,则用半导体表面势(ψ_s)与MOS的瞬态微分电压(dv/dt)之间的渐近线性关系,可以同时确定少子的体产生寿命及表面产生速度.实验装置可以直接显示ψ_s-dv/dt曲线,省去了Zerbst方法的繁琐作图程序. |
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