p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究

对 Si 掺杂和 Zn 掺杂 p 型 GaAs 液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6 nm 和578.2 nm 的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K 中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2 nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对 Si 掺杂 p 型 GaAs 样品 PL 谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺 Zn 的 p 型 GaAs 样品的 PL 谱,与掺 Si 样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(～950 nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。

Study of Photoluminescence in p-Type Doped GaAs Grown by Liquid-Phase Epitaxy