首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

接近式光刻中刻划间隙对刻线质量的影响分析
作者姓名:付永启 朱应时
作者单位:中国科学院长春光学精密机械研究所,应用光学国家重点实验室
摘    要:用近场菲涅耳理论,分析了接近式曝光法刻制光栅及码盘时,刻划间隙与刻线质量之间的关系;并利用刻线相对对比度的概念给出了确定刻划间歇时应遵循的规律。为实际光刻时的选择最佳刻划间隙提供了一条可靠的依据。

关 键 词:接近式 光刻 刻划间歇 刻线质量
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号