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硅材料电性能的改进

作者姓名：	杨谨福

摘要：	美国橡树岭国家试验室的研究人员研制出一种超饱和的硅合金,共电学性能大大超过一般的半导体。采用激光方法可使离子注入半导体硅中的“杂质”原子大大增加,从而提高和改进其电学性能,并消除因离子注入对晶体结构造成的所有损伤。此
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