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Gd1-xAlO3:Eux^3+梯度材料芯片制备及发光性能
引用本文:罗岚,刘庆峰,刘茜.Gd1-xAlO3:Eux^3+梯度材料芯片制备及发光性能[J].稀有金属材料与工程,2005,34(8):1310-1313.
作者姓名:罗岚  刘庆峰  刘茜
作者单位:1. 南昌大学,江西,南昌,330047
2. 中国科学院上海硅酸盐研究所,高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050
基金项目:2005南昌大学科学基金项目(组合材料芯片筛选法开发稀土荧光粉材料Z02901);2005江两省教育厅基金项目(组合材料芯片筛选法开发稀土荧光粉材料Z02810);自然科学基金委主任基金资助项目(20151003/B01);上海市科学技术发展基金资助项目(纳米科技专项)(0259nm021);上海科委基础研究重点项目(02JC14015)
摘    要:将组合材料芯片技术中梯度组合法应用于新型发光材料Gd1-xAlO3:Eux^3+(发光峰丰峰位置为615nm,对应Eu^5D0→^7F2电子跃迁)的激活剂掺杂晕优化。获得如下的研究结果:在紫外激发T(254nm)Gd1-xAlO3:Eux^3+材料中的x值为0.09;Pr共掺杂时会降低发光强度(n(Pr):n(Eu)〈1:10)。光谱分析表明:Pr,Eu间卢子支持的共振能量传递,是Pr降低Gd1-xAlO3:Eux^3+(简写为:GAP:Eu)发光强度的丰要原因。优化的结果与柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体掺杂萤优化实验结果一致。实验结果表明组合法在发光材料开发中具有高效性。

关 键 词:组合材料芯片技术  铝酸钆  发光材料  柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法  共振能量传递
文章编号:1002-185X(2005)08-1310-04
收稿时间:2004-05-25
修稿时间:2005-04-30

Gd1-xAlO3:Eux3+ Phosphors Material Chip's Synthesis and Luminescent Properties
Luo Lan;Liu QingFeng;Liu Qian.Gd1-xAlO3:Eux3+ Phosphors Material Chip''s Synthesis and Luminescent Properties[J].Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(8):1310-1313.
Authors:Luo Lan;Liu QingFeng;Liu Qian
Abstract:
Keywords:combinatorial  Gadolinium-aluminate  luminescence  Citrate-nitrate combustion  resonant energy transfer
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