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低能V+注入花生种子的深度研究
引用本文:汪新福,陆挺,周宏余,朱光华,丁晓纪.低能V+注入花生种子的深度研究[J].原子能科学技术,2002,36(6):531-534.
作者姓名:汪新福  陆挺  周宏余  朱光华  丁晓纪
作者单位:北京师范大学,射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875;北京师范大学,低能核物理研究所,北京,100875;北京市辐射中心,北京,100875
基金项目:国家自然科学基金资助项目 (19890 30 3)
摘    要:用扫描电子显微镜和X射线能谱仪测定了低能V 注入干花生种子的穿透深度 浓度分布。结果表明 :这种分布是有长拖尾的高斯分布 ;2 0 0keV的V 注入干花生种子的最大穿透深度为 1 3 6 μm。比较了实验结果与TRIM95的计算值。

关 键 词:离子注入  花生种子  扫描电子显微镜  深度分布
文章编号:1000-6931(2002)06-0531-04
修稿时间:2001年5月23日

Study of Penetration Depth for V+ With Low Energy Implanted in Peanut Seeds
WANG Xin-fu ,,LU Ting ,,ZHOU Hong-yu ,,ZHU Guang-hua ,,DING Xiao-ji ,.Study of Penetration Depth for V+ With Low Energy Implanted in Peanut Seeds[J].Atomic Energy Science and Technology,2002,36(6):531-534.
Authors:WANG Xin-fu      LU Ting      ZHOU Hong-yu      ZHU Guang-hua      DING Xiao-ji  
Affiliation:WANG Xin-fu 1,2,3,LU Ting 1,2,3,ZHOU Hong-yu 1,2,3,ZHU Guang-hua 1,2,3,DING Xiao-ji 1,2,3
Abstract:
Keywords:ion implantation  dry peanut seed  scanning electron microscope  depth distribution
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