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衬底同步加热溅射BST薄膜的研究
引用本文:张龙,林立强 朱健 卓敏.衬底同步加热溅射BST薄膜的研究[J].传感技术学报,2006,19(5):1904-1906.
作者姓名:张龙  林立强 朱健 卓敏
作者单位:南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:介绍了一种衬底同步加热射频磁控溅射制备BST(BaxSr1-xTiO3)薄膜的新方法,讨论了BST薄膜的晶化效果对介电常数的影响,分析了薄膜的居里温度和εr-V铁电性能.XRD测试结果表明制备的BST薄膜具有完整的钙钛矿晶体结构,相对介电常数超过150,介质击穿强度大于1.3 MV/cm.使用这种方法不需要专门的退火工艺,就可以制备晶体结构完整的高介电常数BST薄膜.

关 键 词:同步衬底加热  射频磁控溅射  钛酸锶钡薄膜  居里温度
文章编号:1004-1699(2006)05-1904-04
修稿时间:2006年7月1日

Sputtering BST films with substrate synchronous heating
Zhang Long,Lin Liqiang,Zhu Jian,Zhuo Min.Sputtering BST films with substrate synchronous heating[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(5):1904-1906.
Authors:Zhang Long  Lin Liqiang  Zhu Jian  Zhuo Min
Affiliation:Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing 210016
Abstract:
Keywords:substrate synchronous heat  RF magnetoelectric sputtering  BST film  Curie temperature
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