| 分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片 |
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| 引用本文： | 陈路,巫艳,于梅芳,吴俊,乔怡敏,杨建荣,何力. 分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片[J]. 红外与毫米波学报, 2002, 21(1): 67-70 |
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| 作者姓名： | 陈路 巫艳 于梅芳 吴俊 乔怡敏 杨建荣 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心及国家红外物理实验室,上海,200083 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程资助项目~~ |
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| 摘 要： | 报道了用分子束外延的方法制备 3英寸HgCdTe薄膜的研究结果 ,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好 ,在直径 70mm圆内 ,组份标准偏差率为 1.2 % ,对应 80K截止波长偏差仅为 0 .1μm .经过生长条件的改进 ,表面形貌获得了大幅度改善 ,缺陷密度小于 30 0cm-2 ,缺陷尺寸小于 10 μm ,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求
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| 关 键 词： | 分子束外延 HgCdTe 均匀性 缺陷 焦平面 |
MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF 3-in HgCdTe WAFER |
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| CHEN Lu WU Yan YU Mei-Fang WU Jun QIAO Yi-Min YANG Jian-Rong HE Li. MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF 3-in HgCdTe WAFER[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2002, 21(1): 67-70 |
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| Authors: | CHEN Lu WU Yan YU Mei-Fang WU Jun QIAO Yi-Min YANG Jian-Rong HE Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MBE HgCdTe uniformity defect FPA. |
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