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| 杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅱ──硅钨酸 FET 的制备和应用 | |
| 引用本文： | 李先文,黄强.杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅱ──硅钨酸 FET 的制备和应用[J].广东工业大学学报,1997(Z1). |
| 作者姓名： | 李先文 黄强 |
| 作者单位： | 渭南师专化学传感器研究室 |
| 摘 要： | 用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体，并且其分析盐酸黄莲素．传感器对黄莲素的能斯特响应范围是１．０×１０－３－５．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ斜率为５９ｍＶ／ＰＣ，适宜ｐＨ范围为２．０～１１．５，检测下限为７．０×１０－７ｍｏｌ／Ｌ。用其分析盐酸黄莲素片含量分析结果和药典方法相一致。 |
| 关 键 词： | 杂多酸 离子敏感场效应晶体管 盐酸黄莲素 |
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