| 弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响 |
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| 引用本文： | 黄君凯,杨恢东. 弱硼掺杂补偿对氢化微晶硅薄膜制备与特性的影响[J]. 半导体学报, 2005, 26(6): 1164-1168 |
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| 作者姓名： | 黄君凯 杨恢东 |
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| 作者单位： | 暨南大学电子工程系,广州,510632;暨南大学电子工程系,广州,510632 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 研究了弱硼掺杂补偿对甚高频等离子体增强化学气相沉积方法生长氢化微晶硅薄膜（μc-Si∶H）及材料特性的影响.实验发现,随着弱硼补偿剂量的增大，μc-Si∶H薄膜的沉积速率先减小后增加，变化范围约为0.7～0.8nm/s.相比较而言，材料的结晶度以及晶粒的平均颗粒尺寸则呈现出先增后减的变化，且变化的幅度较大，当弱硼补偿剂量大于2.5ppm时，过度的弱硼补偿将导致μc-Si∶H薄膜的结晶状况恶化.此外，光敏性、暗电导及电导激活能的测量结果进一步表明，弱硼补偿显著影响μc-Si∶H薄膜的光电特性，弱硼补偿剂量为2.5ppm左右时，材料的光电特性最为理想.因此，优化弱硼补偿剂量是获得器件级质量μc-Si∶H材料的有效途径.
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| 关 键 词： | 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 弱硼掺杂补偿 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)06-1164-05 |
| 修稿时间： | 2004-09-12 |
Fabrication and Properties of Microcrystalline Silicon Deposited with VHF-PECVD Under Lightly Boron-Doping |
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| Huang Junkai,YANG Huidong. Fabrication and Properties of Microcrystalline Silicon Deposited with VHF-PECVD Under Lightly Boron-Doping[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(6): 1164-1168 |
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| Authors: | Huang Junkai YANG Huidong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | very high frequency PECVD hydrogenated microcrystalline silicon lightly boron-doping compensation |
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