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| 低温下JFET的噪声特性 | |
| 引用本文： | 孙风桐,辛洁,宋庆熙,郭转运,张延炘.低温下JFET的噪声特性[J].红外与毫米波学报,1984,3(4). |
| 作者姓名： | 孙风桐 辛洁 宋庆熙 郭转运 张延炘 |
| 作者单位： | 南开大学物理系 (孙风桐，辛洁，宋庆熙，郭转运)，南开大学物理系(张延炘) |
| 摘 要： | 对于空间技术和天文观测中应用的1～5μm大气窗口的高灵敏红外探测系统,前置放大器已经开始成为限制灵敏度的重要因素。对前置放大器的要求,除了尽可能低的噪声外,其频率响应及动态范围也应满足一定的要求。为了改善引线电容对频率特性的影响,同时也减小低温下引线的微音效应,前置放大器的输入级尽可能靠近工作于低温下的探测器是必要的。因此,研究结型场效应管(JFET) |
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