| 一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计 |
| |
| 引用本文： | 王丽芳,吴健学.一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计[J].电讯技术,2005,45(5):131-134. |
| |
| 作者姓名： | 王丽芳 吴健学 |
| |
| 作者单位： | 武汉邮电科学研究院,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院,湖北,武汉,430074 |
| |
| 摘 要： | 本文提出了一种采用0.25μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单,性能较好。用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V。而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比。
|
| 关 键 词： | 基准电压 带隙基准 温度系数 温度补偿 电源抑制比 |
| 文章编号： | 1001-893X（2005）05-0131-04 |
| 收稿时间： | 2004-12-20 |
| 修稿时间： | 2004-12-20 |
Design of a High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference |
| |
| WANG Li-fang,WU Jian-xue.Design of a High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference[J].Telecommunication Engineering,2005,45(5):131-134. |
| |
| Authors: | WANG Li-fang WU Jian-xue |
| |
| Affiliation: | Wuhan Research Institute of Posts and Telecommunications, Wuhan 430074, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Votage reference Bandgap reference Average temperature coefficient PSRR |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电讯技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电讯技术》下载全文 |
|
