| 横向过生长 (LEO)外延 GaN材料及其生长机理 |
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| 引用本文： | 魏茂林,齐鸣,李爱珍. 横向过生长 (LEO)外延 GaN材料及其生长机理[J]. 功能材料与器件学报, 2001, 7(2): 199-204 |
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| 作者姓名： | 魏茂林 齐鸣 李爱珍 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 |
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| 摘 要： | 由于没有合适的衬底材料与之匹配，使外延生长的GaN材料缺陷密度很大，从而限制了它的应用。采用LEO（横向过生长外延）技术能使缺陷密度降低3－4个数量级,可生长出高质量的GaN材料。本文简要介绍了应用LEO技术生长GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。
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| 关 键 词： | 生长机理 氮化镓 半导体 LEO 外延生长 |
| 文章编号： | 1007－4252(2001)02－0199－06 |
| 修稿时间： | 2000-03-31 |
Lateral epitaxy overgrowth (LEO) of GaN and growth mechanism |
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| WEI Mao-lin,QI Ming,LI Ai-zhen. Lateral epitaxy overgrowth (LEO) of GaN and growth mechanism[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2001, 7(2): 199-204 |
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| Authors: | WEI Mao-lin QI Ming LI Ai-zhen |
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| Abstract: | Traditional epitaxial growth of GaN by MOCVD on mismatched substrates such as sapphire will produce high density of dislocations. Lateral growth of GaN films have a low density of disloca－ tions. The mechanism of lateral epitaxy GaN was investigated in the work. It shows that the lateral growth rate is dependent strongly on the direction of the mask layer, TMG flow rates and temperature. |
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| Keywords: | epitaxy mechanism GaN |
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