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| 一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化 | |
| 引用本文： | 孙瑞泽,陈万军,彭朝飞,阮建新,张波.一种高di/dt栅控晶闸管的三重扩散工艺优化[J].电子与封装,2014(7). |
| 作者姓名： | 孙瑞泽 陈万军 彭朝飞 阮建新 张波 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;东莞电子科技大学电子信息工程研究院; |
| 基金项目： | 国家科技重大专项(2011ZX02706-003);预研项目(51308030407) |
| 摘 要： | 传统栅控晶闸管(MCT)的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现了具有更高正向电流能力与低阈值电压的MCT器件。结果表明该工艺制造的MCT在脉冲放电应用中电流上升率(di/dt)较传统工艺所制造的器件提高15%,最大工作温度降低33%,热逸散速度提高36%。 |
| 关 键 词： | 三重扩散 栅控晶闸管 电流上升率 脉冲放电 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |