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| 气相沉积聚酰亚胺在微型电子器件中的应用 | |
| 引用本文： | 褚夫同,王乔升,戴丽萍,刘兴钊.气相沉积聚酰亚胺在微型电子器件中的应用[J].电子元件与材料,2014(3). |
| 作者姓名： | 褚夫同 王乔升 戴丽萍 刘兴钊 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; |
| 基金项目： | 教育部博士点基金资助项目(No.2012018530003) |
| 摘 要： | 采用气相沉积聚合法制备了聚酰亚胺(PI)薄膜及PI与金属颗粒(Cr)复合(PI/Cr)薄膜,所制备PI薄膜表面平整,随着金属颗粒体积百分数增加,PI/Cr薄膜介电常数逐渐增大;当将PI薄膜应用于压电微机械超声换能器(pMUTs)中时,pMUTs机电耦合系数显著提高,所研制pMUTs在光声成像演示中探测到了较强的光声信号;当将PI/Cr薄膜应用于AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)中时,HEMTs的击穿电压由156 V提高到248 V,HEMTs器件的耐压能力显著改善。 |
| 关 键 词： | 气相沉积聚合 聚酰亚胺 薄膜 高介电常数介质 压电微机械超声换能器 高电子迁移率场效应晶体管 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |