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| 基于VLD技术的MCT器件仿真分析 | |
| 引用本文： | 阮建新,陈万军,孙瑞泽,彭朝飞,张波.基于VLD技术的MCT器件仿真分析[J].电子与封装,2014(8). |
| 作者姓名： | 阮建新 陈万军 孙瑞泽 彭朝飞 张波 |
| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;东莞电子科技大学电子信息工程研究院; |
| 基金项目： | 国家科技重大专项02专项(2011ZX02706-003);预研项目(51308030407) |
| 摘 要： | 针对在脉冲功率领域有一定应用的栅控晶闸管(MCT)器件,提出了一种基于VLD(横向变掺杂)技术的MCT(VMCT)器件新工艺并通过仿真比较出新工艺的优势。VLD技术是指通过调整掩模版窗口的大小调节杂质掺杂浓度,进而优化MCT中NPN晶体管的电流放大系数a,通过仿真确定了新工艺的杂质注入剂量。仿真结果表明采用新工艺的VMCT器件比采用常规工艺MCT(CMCT)电流能力更强,是CMCT的2倍;和CMCT相比,VMCT器件的耐压和关断电压都保持不变,但是VMCT在工艺流程中比MCT节省一张掩模版。 |
| 关 键 词： | MCT VLD 击穿电压 电流能力 |
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