纳米银粉在低温银浆中的烧结工艺研究

为了在柔性基材上获得导电性良好的导电线路,以直流电弧等离子体蒸发凝聚法制备了纳米银粉,并以其作为导电功能相制备了低温银浆,对其烧结工艺展开了研究。结果表明所制的银粉为一种球形度高、结晶性良好、不同大小纳米颗粒复合的粉体,以其制备的银浆在250~300℃烧结即可形成导电性膜层,且烧结温度越高,所得膜层方阻越低。但烧结温度较高时,需缩短烧结时间,以避免膜层剧烈收缩产生的裂纹降低膜层的导电性。所制银浆经300℃烧结30 min所得膜层的导电性最好,方阻可低至8.8 m?/□。