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| GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱掩埋条形激光器 | |
| 引用本文： | 李世祖,张敬明,杨国文,徐遵图,何晓曦,徐俊英,肖建伟,陈良惠.GaAs／Al_xGa_（1－x）As多量子阱掩埋条形激光器[J].半导体学报,1996,17(4):275-278. |
| 作者姓名： | 李世祖 张敬明 杨国文 徐遵图 何晓曦 徐俊英 肖建伟 陈良惠 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 利用ＭＢＥ生长的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ折射率渐变－分别限制－多量子阱材料（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＭＱＷ），经液相外延二次掩埋生长，制备了阈值最低达２．５ｍＡ（腔面未镀膜），光功率室温连续输出可达１５ｍＷ／面的半导体激光器．经腔面镀膜后，器件已稳定工作４５００多小时． |
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