| 碳化硅涂层的离子注入改性 |
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| 引用本文： | 李舵,成来飞,吴守军,沈季雄. 碳化硅涂层的离子注入改性[J]. 硅酸盐学报, 2005, 33(10): 1202-1207 |
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| 作者姓名： | 李舵 成来飞 吴守军 沈季雄 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072;西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072;西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072;西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（90105015）;国家杰出青年科学基金（50425208）资助项目. |
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| 摘 要： | 在SiC涂层表面注入Al^3＋，B^3＋，St^4＋，观察3种离子注入对涂层表面裂纹的封填情况，分析离子注入后涂层表面的相组成，考核离子注入对SiC-C／SiC材料抗氧化性能的影响。在1300℃模拟空气中氧化15h后，注入Al^3＋的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0．3％，形成的玻璃氧化层中气泡和孔洞少，对涂层裂纹的封填效果较好但覆盖不均匀。注入B^3＋的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0．1％，形成的玻璃氧化层的流动性好且覆盖均匀，但其表面多气泡和孔洞，破坏了玻璃氧化层对涂层裂纹的封填作用。注入Si^4＋的复合材料的氧化质量损失同注入B^3＋的试样基本相当，但是其氧化质量损失有增大趋势，表明Si^4＋的注入对改善材料的抗氧化性能无积极作用。
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| 关 键 词： | 碳/碳化硅复合材料 碳化硅涂层 离子注入 氧化 |
| 文章编号： | 0454-5648（2005）10-1202-06 |
| 收稿时间： | 2005-04-04 |
| 修稿时间： | 2005-06-13 |
MODIFICATION OF SILICON CARBIDE COATING BY ION IMPLANTATION |
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| LI Duo,CHENG Laifei,WU Shoujun,SHEN Jixiong. MODIFICATION OF SILICON CARBIDE COATING BY ION IMPLANTATION[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 2005, 33(10): 1202-1207 |
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| Authors: | LI Duo CHENG Laifei WU Shoujun SHEN Jixiong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | carbon/silicon carbide composite silicon carbide coating ion implantation oxidation |
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