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杂志ISSN号
SiO2,α—Si,Si3N4薄膜在表面钝化中的选择应用
作者姓名:
葛虹宇 白宏光
摘 要:
本文基于对Si3N4、SiO2、α-Si薄膜本身结构及其层间结构的分析,在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践,在Si3N4-α-Si-SiO2结构中解决了由SiO2/Si界面的表面电荷及SiO2中Na+的漂移运动等引起的器件电学特性变差的问题。
关 键 词:
硅 界面态 半导体薄膜技术 表面钝化
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