| 0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响 |
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| 引用本文： | 姜玉稀,李娇,冉峰,曹家麟,杨殿雄.0.13微米硅化物 CMOS工艺下版图参数对栅极接地 NMOS晶体管骤回特性的影响[J].半导体学报,2009,30(8):084007-8. |
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| 作者姓名： | 姜玉稀 李娇 冉峰 曹家麟 杨殿雄 |
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| 摘 要： | 本文中，在 0.13微米硅化物 CMOS工艺下， 设计了不同版图尺寸和不同版图布局的栅极接地 NMOS器件。TLP测量技术用来获得器件的骤回特性。 文章分析了器件版图参数和器件骤回特性之间的关系。TCAD器件仿真软件被用来解释证明这些结论.通过这些结论,电路设计者可以预估栅极接地NMOS器件在ESD大电流情况下的特性,由此在有限的版图面积下设计符合 ESD保护要求的栅极接地 NMOS器件。本文同时给出了优化后的 0.13微米硅化物工艺下 ESD版图规则。
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| 关 键 词： | 静电泄放 (ESD) 栅接地NMOS 骤回特性 版图参数 |
| 修稿时间： | 3/24/2009 9:33:59 PM |
Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13- m silicide CMOS technology |
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| Jiang Yuxi,Li Jiao,Ran Feng,Cao Jialin and Yang Dianxiong.Influence of layout parameters on snapback characteristic for a gate-grounded NMOS device in 0.13- m silicide CMOS technology[J].Chinese Journal of Semiconductors,2009,30(8):084007-8. |
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| Authors: | Jiang Yuxi Li Jiao Ran Feng Cao Jialin and Yang Dianxiong |
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| Affiliation: | Microelectronic Research & Development Center, Shanghai University, Shanghai 200072, China;Microelectronic Research & Development Center, Shanghai University, Shanghai 200072, China;Microelectronic Research & Development Center, Shanghai University, Shanghai 200072, China;Microelectronic Research & Development Center, Shanghai University, Shanghai 200072, China;Microelectronic Research & Development Center, Shanghai University, Shanghai 200072, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electrostatic discharge gate-grounded NMOS snapback characteristic layout parameters |
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