| 多晶硅高温压力传感器的温度特性 |
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| 引用本文： | 张为,姚素英,张生才,曲宏伟,刘艳艳,张维新.多晶硅高温压力传感器的温度特性[J].西安电子科技大学学报,2002,29(1):142-146. |
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| 作者姓名： | 张为 姚素英 张生才 曲宏伟 刘艳艳 张维新 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院 天津300072
(张为，姚素英，张生才，曲宏伟，刘艳艳)，天津大学电子信息工程学院 天津300072(张维新) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (698760 2 7) |
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| 摘 要： | 讨论了改善多晶硅高温压力传感器温度特性的 3种措施 :用四甲基氢氧化铵溶液代替氢氧化钾溶液作硅杯各向异性腐蚀剂 ;优化多晶硅压敏电阻的掺杂浓度 ,实现传感器灵敏度温度漂移自补偿 ;在传感器芯片上加做温敏电阻 ,通过调节激励源的温度特性 ,进一步减小传感器灵敏度温度系数 .采用以上措施 ,使多晶硅压力传感器有良好的高温稳定性 ,灵敏度温度系数绝对值小于 2× 10 -4/℃ .
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| 关 键 词： | 多晶硅 压力传感器 温度特性 灵敏度温度漂移补偿 |
| 文章编号： | 1001-2400(2002)01-0142-04 |
| 修稿时间： | 2001年2月26日 |
Research on the temperature dependence of the polysilicon high-temperature pressure sensor |
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| ZHANG Wei,YAO Su ying,ZHANG Sheng cai,QU Hong wei,LIU Yan yan,ZHANG Wei xin.Research on the temperature dependence of the polysilicon high-temperature pressure sensor[J].Journal of Xidian University,2002,29(1):142-146. |
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| Authors: | ZHANG Wei YAO Su ying ZHANG Sheng cai QU Hong wei LIU Yan yan ZHANG Wei xin |
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