用红外反射法测定1μ左右n-n~ GaAs外延层厚度

本文验证了测量1μ左右n-n~ GaAs外延层厚度的红外反射法,该法能满足非破坏性测量和测准的要求。本文在一些选定的实验条件下,用红外反射法进行了测量1μ左右n-n~ GaAs外延层厚度的一系列实验,取得了一些结果。结果表明,在我们的实验条件下,是可以用红外反射法来取得薄外延层厚度数据的。本文还将所得结果同用显微镜和扫描电镜所作的测量结果进行了对比。对比表明,用三种方法测得的外延层厚度是一致的,但红外反射法的误差最小。