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多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及其场电子发射
引用本文:陈光华,蔡让岐,宋雪梅,贺德衍.多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备及其场电子发射[J].半导体学报,2004,25(3):288-291.
作者姓名:陈光华  蔡让岐  宋雪梅  贺德衍
作者单位:北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,兰州大学物理科学与技术学院,北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,兰州大学物理科学与技术学院 北京100022,兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000,兰州730000,北京100022,兰州730000
摘    要:研究了多孔硅衬底微波CVD金刚石薄膜的制备工艺及其场电子发射特性.以多孔硅作为生长金刚石突起阵列的模板,生长出带多微尖的微晶金刚石晶粒,使场电子发射阈值下降(<1V/ μm) ,发射电流增大(>90 m A/ cm2 ) ,场发射性能稳定,并对这种场发射特性做出了理论解释.

关 键 词:多孔硅    金刚石薄膜    场电子发射
文章编号:0253-4177(2004)03-0288-04
修稿时间:2003年3月4日

Preparation and Field Electron Emission of Diamond Films on Porous Silicon Substrates with MW-CVD Technique
Chen Guanghua ,Cai Rangqi,Song Xuemei and He Deyan.Preparation and Field Electron Emission of Diamond Films on Porous Silicon Substrates with MW-CVD Technique[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(3):288-291.
Authors:Chen Guanghua    Cai Rangqi  Song Xuemei and He Deyan
Affiliation:Chen Guanghua 1,2,Cai Rangqi2,Song Xuemei1 and He Deyan2
Abstract:
Keywords:porous silicon  diamond films  field electron emission
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