| CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能 |
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| 引用本文： | 杨晓非 游龙 李震 林更琪 李佐宜. CoCrPtNb/CrTi/C玻璃盘基磁记录介质制备与性能[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 767-769 |
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| 作者姓名： | 杨晓非 游龙 李震 林更琪 李佐宜 |
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| 作者单位： | 杨晓非（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074）;游龙（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074）;李震（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074）;林更琪（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074）;李佐宜（华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074） |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目(2002AB032);教育部博士学科点基金资助项目(20010487021) |
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| 摘 要： | 采用CoCrPtNb四元合金作磁记录介质,并使用多层膜结构C/(CoCrPt)100-xNbx/CrTi/C/Glass Substrate制备硬盘磁记录介质.实验结果表明此种薄膜记录介质,即使在室温下溅射,也可得到高达240kA/m的矫顽力;此类薄膜在550℃高温下,经过30min退火后,其矫顽力有较大幅度提高,并在Nb含量为2.4%(原子分数)时达到极大值360kA/m此时剩磁比S=0.90,矫顽力矩形比S*=0.92,从而制成了适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质.并详细分析了在室温条件下溅射,此种介质矫顽力与Nb含量变化的关系;并对退火后介质矫顽力与Nb含量变化的关系也进行了讨论.
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| 关 键 词： | 玻璃盘基 磁记录介质 射频磁控溅射 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0767-03 |
| 修稿时间： | 2004-05-30 |
Preparation and properties of CoCrPtNb/CrTi/C magnetic recording media using glass substrate |
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