| 微/纳米多孔低介电聚酰亚胺薄膜的研究进展 |
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| 引用本文： | 赵宇霄冯鑫冯晨曦王玉辉程金雪于晓亮郭敏杰.微/纳米多孔低介电聚酰亚胺薄膜的研究进展[J].高分子材料科学与工程,2023(5):173-181. |
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| 作者姓名： | 赵宇霄冯鑫冯晨曦王玉辉程金雪于晓亮郭敏杰 |
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| 作者单位： | 1.天津科技大学化工与材料学院300071; |
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| 基金项目： | 中央引导地方科技发展专项(21ZYQCSY00050)；国家自然科学基金资助项目(52173044)。 |
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| 摘 要： | 聚酰亚胺(PI)作为高性能聚合物，已成为5G通信的重要原材料之一。传统PI薄膜的介电常数处于3.0～3.4之间，随着电路集成度越来越高，已无法满足高速发展的微电子工业的要求，因此，开发综合性能优异的低介电PI薄膜已成为研究热点。向PI薄膜中引入微/纳米级的分散孔隙，可以有效降低介电常数，同时保留薄膜优异的综合性能。文中从物理和化学制备方法入手，综述了近年来国内外微/纳米多孔低介电PI薄膜(M/N-PLD-PI)的制备工艺，阐明了引入微/纳米级的分散孔隙对降低PI薄膜介电常数的贡献，并对多孔低介电PI薄膜的发展进行了展望。
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| 关 键 词： | 微/纳米 低介电常数 多孔材料 聚酰亚胺薄膜 制孔方法 |
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