| 基于自动温控光谱测试系统的深紫外LED光电特性研究 |
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| 引用本文： | 林丹,王巧,王君君,胡金花,卢瀚仑,刘宁炀,陈志涛.基于自动温控光谱测试系统的深紫外LED光电特性研究[J].材料研究与应用,2019,13(2):102-106. |
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| 作者姓名： | 林丹 王巧 王君君 胡金花 卢瀚仑 刘宁炀 陈志涛 |
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| 作者单位： | 广东省半导体产业技术研究院,广东 广州,510650;广东省半导体产业技术研究院,广东 广州,510650;广东省半导体产业技术研究院,广东 广州,510650;广东省半导体产业技术研究院,广东 广州,510650;广东省半导体产业技术研究院,广东 广州,510650;广东省半导体产业技术研究院,广东 广州,510650;广东省半导体产业技术研究院,广东 广州,510650 |
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| 基金项目： | 广东省科学院创新人才引进资助专项(2017GDASCX-0862)，广东省科技计划(2017A070701025) |
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| 摘 要： | 为研究温度对AlGaN基274nm深紫外LED光电参数的影响.基于自动温控深紫外光谱分析测量系统的测试结果表明,在25～100℃范围内该深紫外LED的工作电压和基板温度呈负线性关系,温度系数约为-8.79 mV/℃,较大的温度系数可能来源于深紫外LED中p-AlGaN较低的掺杂浓度.通过瞬态和稳态工作电压测试及结合温度系数,计算得到深紫外LED样品的热阻为20.8℃/W,该热阻对应芯片PN结到管壳引脚之间的导热通道.随温度升高,该深紫外LED峰值波长的稳定性和单色性较好.该深紫外LED辐射光谱由UVA、UVB和UVC三种成分组成;随着温度升高,UVA和UVC成分减少,UVB成分增加,UVB成分可能来源于器件中低Al组分外延层材料吸收量子阱发光后的二次辐射.研究表明,温度对深紫外LED的工作电压、热阻以及辐射光谱等性能有着重要影响,相关光电参数的准确测量需要精确控温.
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| 关 键 词： | UV-LED 温度系数 热阻 辐射光谱 |
Research on photoelectric characteristics of deep UV-LED based on automatic temperature controlled spectrometer system |
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| LIN Dan,WANG Qiao,WANG Junjun,HU Jinhu,LU Hanlun,LIU Ningyang,CHEN Zhitao.Research on photoelectric characteristics of deep UV-LED based on automatic temperature controlled spectrometer system[J].Journal of Guangdong Non-Ferrous Metals,2019,13(2):102-106. |
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| Authors: | LIN Dan WANG Qiao WANG Junjun HU Jinhu LU Hanlun LIU Ningyang CHEN Zhitao |
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