基于MOSFET的半导体激光器驱动电路设计及其改进 |
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引用本文: | 马天翔,田小建. 基于MOSFET的半导体激光器驱动电路设计及其改进[J]. 中国激光, 2012, 39(s1): 116001 |
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作者姓名: | 马天翔 田小建 |
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作者单位: | 马天翔:吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012 田小建:吉林大学电子科学与工程学院, 吉林 长春 130012
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摘 要: | 在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为开关配合电容充放电实现脉冲功率放大时,输出的脉冲电流受到MOSFET元件性能制约,而且由于分布参数的影响脉冲电流非常容易出现过冲。为了解决这些问题,提出了一种MOSFET互补输出电路,它能提供更快的脉冲关断时间,并且对过冲的产生起到一定抑制作用。经实验证明,改进后电路的输出得到了改善。
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关 键 词: | 光电子学 半导体激光器驱动器 金属氧化物半导体场效晶体管 脉冲功率放大 互补输出 |
收稿时间: | 2012-03-08 |
Laser Diode Driver Circuit Design and Improvement Based on the MOSFET |
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Abstract: | Laser diode (LD) driver circuit,which is based on the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) and discharging capacitor, its performance mainly depend on the MOSFET. If the distributed parameter is not perfectly controlled, pulse current output is so distorted that it can not drive the LD.overshoot, even the ringing may occur. We design complementary output circuit to solve this problem, it provides faster pulse-off time, and restrains the overshoot and ringing. Experimental results show that the new circuit improves the output effectively. |
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Keywords: | optoelectronics laser diode driver metal-oxide-semiconductor field-effect transistor pulse power amplifier complementary output |
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