| 中频脉冲磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜 |
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| 引用本文： | 黄宇,孙建,薛俊明,马铁华,熊强,赵颖,耿新华.中频脉冲磁控溅射制备ZnO:Al透明导电薄膜[J].光电子．激光,2006,17(12):1427-1431. |
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| 作者姓名： | 黄宇 孙建 薛俊明 马铁华 熊强 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 中北大学电子工程系,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西,太原,030051;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071;中北大学电子工程系,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西,太原,030051;河北省信息产业厅唐山无线电管理分局,河北,唐山,063000 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);天津市自然科学基金;天津市科技发展基金 |
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| 摘 要： | 采用中频磁控溅射工艺,以2%的Al掺杂的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面及绒面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜,系统研究了衬底温度、工作气压和溅射功率等对平面ZAO结构和光电特性的影响,并对湿法腐蚀制备绒面ZAO薄膜进行了介绍。获得了适合太阳电池的高性能薄膜,其电阻率为4.6×10-4Ω·cm,载流子浓度为4.9×1020cm-3,霍尔迁移率为56cm2/V·s,可见光范围内(400~800nm)的平均透过率大于85%。
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| 关 键 词： | 中频磁控溅射 ZnO:Al(ZAO)薄膜 衬底温度 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）12-1427-05 |
| 收稿时间： | 2006-03-24 |
| 修稿时间： | 2006-03-242006-06-14 |
Preparation of ZnO:Al Films by Mid-frequency Impulse Magnetron Sputtering |
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| HUANG Yu,SUN Jian,XUE Jun-ming,MA Tie-hu,XIONG Qiang,ZHAO Ying,GENG Xin-hua.Preparation of ZnO:Al Films by Mid-frequency Impulse Magnetron Sputtering[J].Journal of Optoelectronics·laser,2006,17(12):1427-1431. |
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| Authors: | HUANG Yu SUN Jian XUE Jun-ming MA Tie-hu XIONG Qiang ZHAO Ying GENG Xin-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | mid-frequency magnetron sputtering ZnO:Al(ZAO) films substrate temperature |
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