| 薄膜电容器特性研究 |
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| 引用本文： | 徐静江.薄膜电容器特性研究[J].浙江大学学报(自然科学版 ),1992(1). |
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| 作者姓名： | 徐静江 |
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| 作者单位： | 浙江大学光电系 |
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| 摘 要： | 本文讨论和比较了以真空蒸发技术制备的ZnS、SiO_2和LB技术制备的花生酸(Axachidic Acid)高分子层为介电层的薄膜电容的电容量、损耗角和击穿特性,并对这些电学特性作出了合理的定性解释。结果表明,以LB技术制备的高分子薄膜电容在各种电学特性上具有优越的性能,为提高薄膜电容器的性能开拓了一条新的途径。
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| 关 键 词： | 薄膜 薄膜电容器 |
Properties of metal-thin film-metal capacitor |
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| Xu Jingjiang.Properties of metal-thin film-metal capacitor[J].Journal of Zhejiang University(Engineering Science),1992(1). |
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| Authors: | Xu Jingjiang |
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| Affiliation: | Dept. of Opt. Engineering |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin solid film thin film capaictor langmuir-blodgett(LB) film |
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