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| 密度泛函理论研究（CdTe）_n和（HgTe）_n团簇的基态结构和电子性质 | |
| 引用本文： | 孔德国,张红美.密度泛函理论研究（CdTe）_n和（HgTe）_n团簇的基态结构和电子性质[J].四川工业学院学报,2012(4):74-76,80. |
| 作者姓名： | 孔德国 张红美 |
| 作者单位： | 塔里木大学机械电气化工程学院,新疆阿拉尔843300 |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论中的广义梯度近似对（CdTe）n和（HgTe）n（n=2～8）团簇的几何结构进行优化,计算了其能量,研究了其电子性质。结合能、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙计算结果表明,n=3、6是团簇的幻数;比较2种团簇的基态结构,发现2种团簇的最低能量结构不同,这可能是导致块体材料CdTe是宽带隙半导体材料,而HgTe是半金属材料的原因。 |
| 关 键 词： | （CdTe）n和（HgTe）n团簇 能隙 二阶能量差分 |
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