密度泛函理论研究(CdTe)_n和(HgTe)_n团簇的基态结构和电子性质 |
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作者姓名: | 孔德国 张红美 |
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作者单位: | 塔里木大学机械电气化工程学院,新疆阿拉尔843300 |
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摘 要: | 采用密度泛函理论中的广义梯度近似对(CdTe)n和(HgTe)n(n=2~8)团簇的几何结构进行优化,计算了其能量,研究了其电子性质。结合能、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙计算结果表明,n=3、6是团簇的幻数;比较2种团簇的基态结构,发现2种团簇的最低能量结构不同,这可能是导致块体材料CdTe是宽带隙半导体材料,而HgTe是半金属材料的原因。
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关 键 词: | (CdTe)n和(HgTe)n团簇 能隙 二阶能量差分 |
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