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测量三种关键工艺参数的微电子测试结构
作者姓名:张安康
摘    要:本文叙述了X射线曝光掩膜的评估、F-N隧道电流检测氧化层厚度以及三角形栅MOS管测量偏称钽的微电子测试结构,并讨论了量测的结果。

关 键 词:微电子测试结构 氧化层厚度 偏移量 VLSI
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