| 直流磁控溅射制备铝薄膜工艺参数 |
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| 引用本文： | 杨栋华. 直流磁控溅射制备铝薄膜工艺参数[J]. 重庆理工大学学报(自然科学版), 2006, 20(8): 69-71,86 |
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| 作者姓名： | 杨栋华 |
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| 作者单位： | 重庆工学院材料科学与工程学院 重庆400050 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法,在硅基片上制备铝薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)等对薄膜的表面形貌和结构进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜表面形貌的影响,分析了制备铝薄膜的影响因素.分析结果表明该薄膜为纯铝薄膜,并且晶粒很小.实验得到制备铝薄膜的工艺参数为:本底真空度4.0×10-4Pa、工作真空度1.7 Pa、氩气流量20 cm3/s、工作电压300 V、工作电流1 A.
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 铝薄膜 工艺参数 |
| 文章编号： | 1671-0924（2006）08-0069-03 |
| 收稿时间： | 2006-01-13 |
| 修稿时间： | 2006-01-132006-03-26 |
On the Technological Parameters Deposition of Al Thin Films by DC Magnetron Sputtering |
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| YANG Dong-hua. On the Technological Parameters Deposition of Al Thin Films by DC Magnetron Sputtering[J]. Journal of Chongqing University of Technology(Natural Science), 2006, 20(8): 69-71,86 |
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| Authors: | YANG Dong-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC magnetron sputtering Al thin film technological parameter |
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