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| 用强流金属离子源研究Ti－Si化合物的形成 | |
| 作者姓名： | 朱德华 卢红波 柳百新 |
| 作者单位： | 清华大学材料科学与工程系 |
| 摘 要： | 利用金属蒸汽真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源引出强流Ｔｉ离子注入单晶硅，当ＭＥＶＶＡ源引出电压为４０ｋＶ，束流密度达到１００μＡ／ｃｍ２，Ｔｉ离子剂量为５×１０１７／ｃｍ２，Ｔｉ离子注入单晶硅可得到Ｃ５４－ＴｉＳｉ２的注入层，且薄层电阻低于３．０Ω／□．本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理． |
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