| 基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系 |
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| 引用本文： | 彭曼泽,李东升,李秋妍,田立萍,吴刚. 基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系[J]. 红外技术, 2013, 0(6) |
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| 作者姓名： | 彭曼泽 李东升 李秋妍 田立萍 吴刚 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南 昆明,650223 |
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| 摘 要： | 利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度 p/n 之间的公式及曲线。分析了不同 p/n 值时霍尔电压值与材料导电类型的关系，确定了适合采用一种载流子体系材料及二种载流子体系材料霍尔系数公式的空穴浓度范围。
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| 关 键 词： | 霍尔系数 霍尔电压 载流子体系 载流子浓度 |
The Relations between Hall Voltage and Carrier Concentration of Two Kinds of Carrier Conduction System for HgCdTe |
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| PENG Man-ze , LI Dong-sheng , LI Qiu-yan , TIAN Li-ping , WU Gang. The Relations between Hall Voltage and Carrier Concentration of Two Kinds of Carrier Conduction System for HgCdTe[J]. Infrared Technology, 2013, 0(6) |
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| Authors: | PENG Man-ze LI Dong-sheng LI Qiu-yan TIAN Li-ping WU Gang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hall coefficient hall voltage carrier conduction system carrier concentration |
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