| 硫化时间对Cu2ZnSnS4薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 孙亚明,王佳慧,于万秋,王志群,华中.硫化时间对Cu2ZnSnS4薄膜结构和性能的影响[J].兵器材料科学与工程,2017,40(6):62-65. |
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| 作者姓名： | 孙亚明 王佳慧 于万秋 王志群 华中 |
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| 作者单位： | 吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室,吉林长春130000;吉林师范大学物理国家级实验教学示范中心,吉林四平136000;国网内蒙古东部电力有限公司经济技术研究院,内蒙古呼和浩特,010020 |
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| 基金项目： | 吉林师范大学博士科研启动基金 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法顺序沉积Cu/Sn/ZnS/Cu/Sn/ZnS/玻璃金属预置层,在530℃经1.5、2.0、3.0 h硫化热处理制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,研究硫化时间对CZTS薄膜性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)等一系列测试设备对薄膜的结构、组分含量、表面形貌及光学带隙进行表征及计算。研究发现:由于前驱体中Cu_6Sn_5致密层的存在,硫化1.5 h时元素间反应不充分;随着热处理时间的增加,元素间反应更加充分,抑制薄膜中Sn元素的挥发,经2.0、3.0 h硫化热处理后的薄膜为单一CZTS相;同时,随着硫化时间的增加,CZTS薄膜的晶化程度提高,颗粒尺寸和禁带宽度增大。
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| 关 键 词： | Cu2ZnSnS4 薄膜 磁控溅射 硫化 |
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