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| β-SiC (001)晶面小分子吸附的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 程萍 李永平 屈卫清 |
| 作者单位： | 宁波大红鹰学院,浙江宁波,315175;宁波大红鹰学院,浙江宁波,315175;宁波大红鹰学院,浙江宁波,315175 |
| 基金项目： | 浙江省青年基金;浙江省教育厅科研项目;浙江省教育厅科研项目;宁波市科技局计划项目;宁波市科技局计划项目 |
| 摘 要： | 采用平面波展开和第一原理赝势法对理想β-SiC(001)Si面晶体及可能吸附的H2、N_2、O_2、CO小分子的超晶胞进行计算。结果发现:当模拟条件为0 K且忽略原子驰豫时,以替位式吸附占据晶格位置时,除N_2外,其他小分子均可吸附在β-SiC(001)的Si表面,且随吸附位置的改变,小分子键长均会发生改变,其中O_2形变最大;从吸附能量角度来看,O_2在β-SiC(001)Si表面的吸附能力最强,其次是H_2,最后是CO。 |
| 关 键 词： | β-SiC 表面吸附 分子模型 |
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