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十字型CMOS集成霍尔传感器的简化仿真模型
引用本文:何秋阳,徐跃,赵菲菲. 十字型CMOS集成霍尔传感器的简化仿真模型[J]. 仪表技术与传感器, 2011, 0(10)
作者姓名:何秋阳  徐跃  赵菲菲
作者单位:1. 南京邮电大学通达学院,江苏南京,210003
2. 南京邮电大学电子科学与工程学院,江苏南京,210003
摘    要:文中提出了一种工作在低磁场条件下的十字型CMOS集成霍尔传感器的简化仿真模型.该模型结构简单,由1个包含电阻、电流控制电压源和电容的无源网络构成.该模型全面考虑了几何、温度和封装应力等因素带来的影响,由模拟硬件描述语言Verilog_A来实现,已成功在Cadence的Spectre仿真器上完成了电路仿真.为了验证模型的准确性,在相同工艺参数下使用SilvacoTCAD对该十字型霍尔传感器进行了三维器件仿真,器件仿真和电路仿真结果达到了很好的一致性,表明该模型在低磁场条件下具有较高的仿真精度.

关 键 词:十字型霍尔器件  电路仿真模型  模拟硬件描述语言

Simplified Simulation Model for Cross-shaped CMOS Integrated Hall Sensor
HE Qiu-yang,XU Yue,ZHAO Fei-fei. Simplified Simulation Model for Cross-shaped CMOS Integrated Hall Sensor[J]. Instrument Technique and Sensor, 2011, 0(10)
Authors:HE Qiu-yang  XU Yue  ZHAO Fei-fei
Affiliation:HE Qiu-yang1,XU Yue2,ZHAO Fei-fei2(1.Tongda College,Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing 210003,China,2.College of Electronic Science & Engineering,China)
Abstract:
Keywords:
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