| 总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器 |
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| 引用本文： | 刘梦新,韩郑生,李多力,刘刚,赵超荣,赵发展.总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器[J].半导体学报,2008,29(6):1036-1039. |
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| 作者姓名： | 刘梦新 韩郑生 李多力 刘刚 赵超荣 赵发展 |
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| 作者单位： | 中国科学院徽电子研究所,北京,100029;中国科学院徽电子研究所,北京,100029;中国科学院徽电子研究所,北京,100029;中国科学院徽电子研究所,北京,100029;中国科学院徽电子研究所,北京,100029;中国科学院徽电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线-8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阚值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征.实验表明,该译码器的抗总剂量能力达3×105rad(Si),nMOS管和pMOS管在最坏情况下前栅沟道阈值漂移分别小于20和70mV,并且在辐照、退火以及后续追加辐照过程中无明显的泄漏电流增加,电路的功能并未退化.
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| 关 键 词： | 部分耗尽SOI 译码器 总剂量 辐照 |
| 收稿时间： | 11/8/2007 2:38:47 PM |
| 修稿时间： | 1/15/2008 2:41:01 PM |
A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder |
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| Liu Mengxin,Han Zhengsheng,Li Duoli,Liu Gang,Zhao Chaorong and Zhao Fazhan.A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(6):1036-1039. |
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| Authors: | Liu Mengxin Han Zhengsheng Li Duoli Liu Gang Zhao Chaorong and Zhao Fazhan |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PDSOI decoder total dose radiation |
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