| IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术 |
| |
| 引用本文： | 王华彪 陈亚宁. IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术[J]. 电源世界, 2006, 0(7): 56-58 |
| |
| 作者姓名： | 王华彪 陈亚宁 |
| |
| 作者单位： | [1]北京交通大学,北京100044 [2]北京落木源电子技术有限公司,北京100044 |
| |
| 摘 要： | 开关电源中功率管的驱动对电源的工作意义重大，因而开关电源中功率器件驱动电路的设计一直是电源领域的关键技术之一。本文介绍了绝缘栅大功率器件的各种不同驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。
|
| 关 键 词： | !MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器 |
| 文章编号： | 1561-0349（2006）07-0056-03 |
| 收稿时间： | 2006-03-31 |
| 修稿时间： | 2006-06-27 |
Insulating Driving Technique for IGBT & MOSFET |
| |
| Wang Huabiao Chen Yaning. Insulating Driving Technique for IGBT & MOSFET[J]. the world of power supply, 2006, 0(7): 56-58 |
| |
| Authors: | Wang Huabiao Chen Yaning |
| |
| Affiliation: | Beijing Jiaotong University 100044;Beiiing Luomuyuan Electronics Technology Co. ,Ltd. 100044 |
| |
| Abstract: | Kinds of driving technique for IGBT & MOSFET are introduced in this article. And the characteristics of drivers sold in current market are also presented. |
| |
| Keywords: | MOSFET IGBT insulating driving photo-coupler pulse transformer |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ |
